以非接觸方式測量晶圓等的研磨和拋光工藝，超高速、實時、高精度測量晶圓和樹脂
產品詳細信息
特點
非接觸式，非破壞性厚度測量
反射光學系統(tǒng)（可從一側接觸測量）
高速（最高5 kHz）實時評測
高穩(wěn)定性（重復精度低于0.01％）
耐粗糙度強
可對應任意距離
支持多層結構（最多5層）
內置NG數(shù)據(jù)消除功能
可進行距離（形狀）測量（使用配件嵌入式傳感器）*
*通過測量測量范圍內的光學距離
Point1:獨有技術
對應廣范圍的薄膜厚度并實現(xiàn)高波長分辨率。
采用大塚電子獨有技術制成緊湊機身。
Point2:高速對應
即使是移動物體也可利用準確的間距測量，
是工廠生產線的理想選擇。
Point3:各種表面條件的樣品都可對應
從20微米的小斑點到
各種表面條件的樣品，都可進行厚度測量。
Point4:各種環(huán)境都可對應
因為最遠可以從200 mm的位置進行測量，
所以可根據(jù)目的和用途構建測量環(huán)境。
測定項目
厚度測量（5層）
用途
各種厚膜的厚度
式樣
| 型號 | SF-3/200 | SF-3/300 | SF-3/1300 | SF-3/BB |
|---|
| 測量厚度范圍? | 5～400 | 10～775 | 50～1300 | 5～775 |
|---|
| 樹脂厚度范圍? | 10～1000 | 20～1500 | 100～2600 | 10～1500 |
|---|
| 最小取樣周期kHz（μsec） | 5（200）※1 | - |
|---|
| 重復精度% | 0.01%以下※2 |
|---|
| 測量點徑? | 約φ20以上※3 |
|---|
| 測量距離mm | 50.80.120※4.200※4 |
|---|
| 光源 | 半導體光源（クラス３Ｂ相當） |
|---|
| 解析方法 | FFT解析，最適化法※5 |
|---|
| interface | LAN，I/O入輸出端子 |
|---|
| 電源 | DC24V式樣（AC電源另行銷售） |
|---|
| 尺寸mm | 123×128×224 | 檢出器:320×200×300 光源:260×70×300 |
|---|
| | | | |
| 選配 | 各種距離測量探頭，電源部（AC用），安全眼睛 鋁參考樣品，測量光檢出目標，光纖清理器 |
|---|
?。? : 測量條件以及解析條件不同，最小取樣周期也不同。
?。? : 是產品出貨基準的保證值規(guī)格，是當初基準樣品AirGap約300μm和
約1000μm測量時的相對標準偏差（ n = 20 ）
?。? : WD50mm探頭式樣時的設計值
?。? : 特別式樣
?。? : 薄膜測量時使用
※CE取得品是SF-3/300、SF-3/1300
基本構成
測定例
貼合晶圓
Mapping結果
研削后300mm晶圓硅厚度